《半導體》創見推新DDR5記憶體模組 力助3大新世代

新一代DDR5 4800記憶體模組擁有超高頻寬、低功耗優勢,相比DDR4 3200增進50%傳輸效能;工作電壓則從1.2V下降至1.1V,提高整體系統能源效率。此外,DDR5配置電源管理晶片(Power Management IC),直接單獨在DIMM上執行電源控制,使記憶體模組獲得更加穩定的電源,並具備較佳的訊號完整性,進而優化能源效率。且內建On-die ECC糾錯機制大幅精進資料正確性並強化系統可靠度,有效提升運算密集型應用的效能表現。

針對企業嚴苛的應用環境需求,創見工業級DDR5 ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM採用PCB金手指和抗硫化技術,加強記憶體對抗環境衝擊的防禦力,提升訊號傳輸的可靠度,有效支援資料量穩定成長的5G應用,適合全天候運作的伺服器,爲企業佈局智慧物聯網及邊緣運算奠定穩固基石;在電子消費領域,DDR5超高頻寬和雙獨立傳輸通道架構優勢,可大幅提高資料處理效率與效能,將引領專業影音內容工作者和電競玩家突破劃時代的極速效能。

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創見全系列DDR5記憶體模組符合JEDEC國際標準,除推出Unbuffered Long-DIMM和Unbuffered SO-DIMM外,工業級產品線還涵蓋ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM規格,以因應多元高階應用需求。全產品線已進入量產階段,並積極進行平臺相容性測試。創見專業研發團隊擁有多年的豐富經驗並落實嚴謹測試,推出新一代DDR5記憶體模組,在具備長期穩定的供貨能力下,將協助企業積極擴展高效能運算市場。

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